英特尔喜提High-NA EUV光刻机，追赶台积电和三星胜利在望

最近这些年，英特尔的处境非常尴尬被动，其中最大的问题和短板在于该公司的芯片制造工艺长期大幅落后于台积电和三星。

而其老对手AMD最近几代Ryzen处理器均采用台积电的成熟工艺，在工艺方面大幅领先英特尔处理器。其Ryzen 3000和Ryzen 5000系列处理器的口碑和实际市场表现都非常不错，在消费级处理器市场抢占了不少英特尔的市场份额。

 

2021年，英特尔新任CEO基尔辛格走马上任，旋即开始进行大刀阔斧的改革。这两年据传取得了一些进展，坊间一直有传闻，声英特尔在芯片制程方面取得了重大突破，包括已经突破了2纳米（甚至1.8纳米）制程云云，请参阅图一。

这两年，有不少英特尔未来几年芯片规划路线图的PPT曝光，但是，英特尔高管对此始终讳莫如深，从来没有正面承认、证实过，其真实性要打很大的折扣。说不相信吧，很多事情传得有鼻子有眼，说相信吧，目前并没有任何确凿、实锤的证据。

不过，近日业界传出了一个重磅消息，大大增加了这些传闻的可信度。

12月21日，荷兰光刻机巨头ASML宣布（图二），它已经开始向英特尔公司交付业界首款具有0.55数值孔径(High-NA)的极紫外线(EUV)光刻机，型号名为Twinscan EXE:5000。

 

ASML公司发言人表示：“我们正在交付第一套High-NA设备，并于今天正式在社交媒体上向公众宣布这一消息。它将按照原计划和之前预告的那样，交付给英特尔公司。”

据悉，配备0.55 NA (High-NA)透镜的High-NA EUV光刻机可以实现8nm的分辨率，未来可用于制造2nm级和以下工艺的芯片。

 

这台设备非常大，需要13个巨大的集装箱和250个板条箱来运输，该设备将从荷兰的费尔德霍芬运到美国俄勒冈州希尔斯伯勒附近的英特尔基地，在未来几个月时间内安装调试。

ASML和英特尔双方都没有提及这台光刻机的价格，但据坊间猜测，预计每台High-NA EUV光刻机的价格约为3亿至4亿美元。

 

据相关人士透露，这台High-NA光刻机最初将用于验证英特尔18A(18埃，1.8纳米)制造工艺。如果一切顺利，预计英特尔将在2025年开始使用Twinscan EXE:5200光刻机，量产基于18A工艺的芯片，到时有望一举在芯片制造方面赶超台积电和三星，实现逆袭。

总体看来，英特尔在芯片工艺制程方面追赶台积电和三星是下了血本的，决心和信心都非常大，雄心勃勃，希望英特尔能够实现自己的既定目标。